EUV光刻机为什么那么难？

半导体芯片生产主要分为 IC 设计、IC 制造、IC 封测三大环节。

　　【1】IC 设计主要根据芯片的设计目的进行逻辑设计和规则制定，并根据设计图制作掩模以供后续光刻步骤使用。

　　【2】IC 制造实现芯片电路图从掩模上转移至硅片上，并实现预定的芯片功能，包括光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、化学机械研磨等步骤。

　　【3】IC 封测完成对芯片的封装和性能、功能测试，是产品交付前的后工序.

　　IC 芯片制造核心工艺主要设备全景图

　　光刻是半导体芯片生产流程中复杂、关键的工艺步骤，耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上，这一过程通过光刻来实现，光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。芯片在生产中需要进行 20-30 次的光刻，耗时占到 IC 生产环节的 50%左右，占芯片生产成本的 1/3。

　　光刻机是芯片制造中光刻环节的核心设备，技术含量、价值含量极高。光刻机涉及系统集成精密光学、精密运动、精密物料传输、高精度微环境控制等多项先进技术，是所有半导体制造设备中技术含量高的设备，因此也具备极高的单台价值量，目前世界上先进的 ASML EUV光刻机单价达到近一亿欧元，可满足 7nm 制程芯片的生产。

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