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1 光源。光刻机需要体积小,但功率高而稳定的光源。EUV光刻机光源功率还不够,长春光机所造出的光源功率只有12W,ASML的光源功率达250W基于375W。
2 物镜。特殊材料,无缺陷,能精确控制来补偿光路畸变。
3 对准。 对准精度要求小于1nm。对准系统的主要功能就是将工件台上硅片的标记与掩膜版上的标记对准。
4 光刻胶。EUV光刻胶,国内只有一个公司在研究。
5 提高分辨率的技术:降低光源波长(EUV)、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术
6 可能有前景的技术:纳米压印技术以及无掩模版电子束成像技术
标签:深圳激光刻码机
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