简单介绍一下光刻机的原理

一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。

　　测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。

　　光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。

　　能量控制器：控制终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。

　　光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。

　　遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。

　　能量探测器：检测光束终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。

　　掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。

　　掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。

　　物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。

　　硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。

　　内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

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